2sk192电压,LM317参数

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•High forward transfer admittance: |Yfs| = 7 mS (typ.) (f = 1 kHz) 类似零件编号- 2SK192A 制造商部件名数据表功能描述Toshiba Semiconductor2SK192A 134Kb/1PMINI P关闭预览想预览更多内容，点击免费在线预览全文免费在线预览全文电调常见的烧问题，可通过更换烧坏的MOS管来解决，如电调常见的烧问题，可通过更换烧坏的MO

≥ω≤ 型号材料最高电压最大电流最大功率频率沟道电阻2SK30ATM N-FET 50 V 6,5 mA - - - 2SK33 N-FET 20 V 20 mA 0,15 W - - 2SK40 N-FET 50 V 6,5 mA - - - 2SK55 2SK192 N-FET 18 V 3 mA - - - 2SJ200 P-FET 180 V 10 A 120 W - - 2SJ201 P-FET 200 V 12 A 150 W - - 2SK212 N-FET 20 V 0,6 mA 0,2 W - - 2SK214 N-FET 160

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2SK184 N-FET 50 V 0,6 mA - - - 2SK192 N-FET 18 V 3 mA - - - 2SJ200 P-FET 180 V 10 A 120 W - - 2SJ201 P-FET 200 V 12 A 150 W - - 2SK212 N-FET 20 V 0,2SK192N-FET18 V3 mA--- 2SJ200P-FET180 V10 A120 W-- 2SJ201P-FET200 V12 A150 W-- 2SK212N-FET20 V0,6 mA0,2 W-- 2SK214N-FET160 V0,5 A30 W-- 2SK216N-FET2

ˇωˇ 家电维修_常用三极管_2SK192A_电路资料文档格式：.pdf 文档大小：248.32K 文档页数：5页顶/踩数：0/0 收藏人数：3 评论次数：0 文档热度：文档分类：行业资料型号：2SK192 类型：N沟道场效应管漏极电流(ID):0.003 A 漏极和源极电压(VDSS):18 V 更多N沟道场效应管LNE06R0792SK4112IRFJ421EMA09N03CSTS300VIRF3710SPBFTK13A65D2SK1243SP